檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Yung-Chin Yang".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="常壓電漿噴射束"
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化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,CVD),為現在半導體製程薄膜階段主要方式,原因為優良的覆蓋率與可控制薄膜厚度,真空鍍膜的技術發展至今已經相當成熟,而本實驗將使用常…
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本研究利用常壓電漿噴射束系統(Atmospheric Pressure Plasma Jet, APPJ)製備氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-doped CeO2, GDC)擴散阻障層(Dif…
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氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-Doped CeO2, GDC)固態電解質材料被認為最有潛力可取代傳統氧化釔安定氧化鋯(Yttria-Stabilized Zirconia, YSZ)電解質並應用於中…